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1、
A new design of channel doping profile, called SCD, is also discussed here in detail.
另外，还讨论了一种新型的沟道掺杂设计，命名为SCD。
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2、
模拟结果表明，P基区的掺杂浓度和宽度对门极换流晶闸管通态压降有着重要的影响。
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3、
Doping Profile and I-V Characteristic Analysis for Hi-Lo GaAs IMPATT
GaAs高-低IMPATT二极管的掺杂分布和伏安特性分析
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4、
An Analytical Model for Optimizing SOI High Voltage Device with Step Doping Profile in Drift Region
阶梯掺杂漂移区SOI高压器件浓度分布优化模型
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5、
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。
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6、
本文研究了具有InGaAs/GaAs双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益HFET。
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7、
8、
Measurement of the fine structure of semiconductor doping profile using C V technique
半导体掺杂分布精细结构的测量技术研究
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9、
用本方法生长的具有特殊掺杂分布的n~+-n-n~+外延InP，制得了高效率InP耿氏二极管。
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